李在明大統領が、サムスン電子の牙山の高帯域幅メモリー(HBM)チップパッケージング工場への投資に続き、約40兆ウォン規模の先端装置投資が続くと述べたとの外電報道があった。
12日(現地時間)のシンガポールのニュースチャンネルCNA(チャンネル・ニュース・アジア)の報道によると、李大統領は同日、サムスン電子の牙山HBMチップパッケージング工場への投資に言及した。サムスン電子はこの工場に6兆ウォンを投資する。同媒体は、李大統領がこの投資に続き、先端装置に約40兆ウォンが投資されると明らかにしたと伝えた。
同媒体は6兆ウォンを44億8000万ドルに換算して表記した。適用為替レートは1ドル=1339.55ウォンだと同媒体は説明した。
同媒体は記事の見出しで、今回のパッケージング施設の拡張が300億ドル規模の追加投資を呼び込むと表現した。
この記事はロイター通信がソウル発で書いたものだ。同じ記事はヤフー・ファイナンスにも掲載された。報道には、サムスン電子側の立場や投資日程といった詳細は含まれていなかった。
※ この記事は、シンガポールCNA(チャンネル・ニュース・アジア)の11月12日(現地時間)の報道を引用して作成しました。